DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 50A 180W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details DF120R12W2H3B27BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V, Verlustleistung Pd: 180W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DF120R12W2H3B27BOMA1 nach Preis ab 72.18 EUR bis 72.18 EUR
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DF120R12W2H3B27BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 180W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 180 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V |
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DF120R12W2H3B27BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DF120R12W2H3B27BOMA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.05V Verlustleistung Pd: 180W euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF120R12W2H3B27BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Fast and solder-less assembly is possible using our EasyPACK 2B 1200V booster IGBT modules with the proven PressFIT technology and High Speed IGBT H3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DF120R12W2H3B27BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 180W 17-Pin EASY2B-2 Tray |
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