DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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Technische Details DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B, Part Status: Active, Supplier Device Package: AG-EASY1B, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Technology: Silicon Carbide (SiC), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Weitere Produktangebote DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 nach Preis ab 102.48 EUR bis 127.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray |
auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 122.04 EUR |
| 10+ | 102.48 EUR |
| DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 127.96 EUR |
| 100+ | 119.83 EUR |