DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A 20MW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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Technische Details DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A 20MW, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DF160R12W2H3FB11BPSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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