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DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies

Name: DF160R12W2H3FB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 22156564-3
Price: 159.65 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 40A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.35 nF @ 25 V

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Technische Details DF160R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 160A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK CoolSiC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
DF160R12W2H3FB11BPSA1	Infineon Technologies	IGBT Modules LOW POWER EASY	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DF160R12W2H3FB11BPSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Application: Inverter	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DF160R12W2H3FB11BPSA1	INFINEON	Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412100 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 160A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK CoolSiC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DF160R12W2H3FB11BPSA1	Infineon Technologies	Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 30-Pin Tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DF160R12W2H3FB11BPSA1	Infineon Technologies	Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 30-Pin Tray	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DF160R12W2H3FB11BPSA1

Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER EASY

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DF160R12W2H3FB11BPSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Inverter; Field Stop,Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter

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DF160R12W2H3FB11BPSA1

INFN-S-A0003271527-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DF160R12W2H3FB11BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 160 A, 1.55 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Dauer-Kollektorstrom: 160A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK CoolSiC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 160A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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DF160R12W2H3FB11BPSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 30-Pin Tray

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Trans IGBT Module N-CH 1200V 20A 190W 30-Pin Tray

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