DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies
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Technische Details DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote DF200R07W2H3B77BPSA1 nach Preis ab 77.02 EUR bis 94.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DF200R07W2H3B77BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Level Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 70 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V |
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DF200R07W2H3B77BPSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Viererpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DF200R07W2H3B77BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 70A |
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| DF200R07W2H3B77BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 70A |
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| DF200R07W2H3B77BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005423521 |
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