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DF200R07W2H3B77BPSA1 INFINEON


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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V
Dauer-Kollektorstrom: 200A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 200A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
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Technische Details DF200R07W2H3B77BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - DF200R07W2H3B77BPSA1 - IGBT-Modul, Viererpack, 200 A, 1.46 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT H3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.46V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.46V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: Produktreihe EasyPACK 2B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Viererpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DF200R07W2H3B77BPSA1 DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-CN.pdf IGBT Modules EASY
auf Bestellung 2 Stücke:
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10+95.74 EUR
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DF200R07W2H3B77BPSA1 DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies Infineon-DF200R07W2H3_B77-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1b7966c40982 Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
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DF200R07W2H3B77BPSA1 Infineon Technologies infineon-df200r07w2h3_b77-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 70A
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15+92.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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Description: LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.95 nF @ 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 21 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-EASY2B
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
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Mounting Type: Chassis Mount
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