DFE201210U-1R0M=P2 Murata
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Technische Details DFE201210U-1R0M=P2 Murata
Description: MURATA - DFE201210U-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.1 A, DFE201210U Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.095ohm, Bauform - Induktivität: 2mm x 1.2mm x 1mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 2A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 3.1A, Produktlänge: 2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE201210U Series, productTraceability: No, Produktbreite: 1.2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DFE201210U-1R0M=P2 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.36 EUR
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DFE201210U-1R0M=P2 | Hersteller : Murata |
 Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 2A 0.095Ohm DCR 0805 T/R |
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DFE201210U-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 2A 95 MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 95mOhm Max Current - Saturation (Isat): 3.1A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 2 A |
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DFE201210U-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 2A 95 MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 95mOhm Max Current - Saturation (Isat): 3.1A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 2 A |
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DFE201210U-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 1 UH 20% |
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DFE201210U-1R0M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE201210U-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.1 A, DFE201210U Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.095ohm Bauform - Induktivität: 2mm x 1.2mm x 1mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 2A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 3.1A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE201210U Series productTraceability: No Produktbreite: 1.2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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DFE201210U-1R0M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE201210U-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 3.1 A, DFE201210U Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.095ohm isCanonical: N usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 3.1A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE201210U Series productTraceability: No Produktbreite: 1.2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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DFE201210U-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 2A 0.095Ohm DCR 0805 T/R |
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DFE201210U-1R0M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 2A 0.095Ohm DCR 0805 T/R |
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