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DFE201210U-2R2M=P2 Murata Electronics
Hersteller: Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 2.2UH 1.2A 228MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 228mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric)
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 1.2 A
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.31 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |
| 15000+ | 0.29 EUR |
| 30000+ | 0.28 EUR |
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Technische Details DFE201210U-2R2M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE201210U-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 2 A, DFE201210U, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.228ohm, Bauform - Induktivität: 2mm x 1.2mm x 1mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.2A, RMS-Strom Irms: -A, Sättigungsstrom (Isat): 2A, Produktlänge: 2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE201210U, productTraceability: No, Produktbreite: 1.2mm.
Weitere Produktangebote DFE201210U-2R2M=P2 nach Preis ab 0.27 EUR bis 0.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 2.2 UH 20% |
auf Bestellung 33953 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 2.2UH 1.2A 228MOHM SMD Tolerance: ±20% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 228mOhm Max Current - Saturation (Isat): 2A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.2 A |
auf Bestellung 47368 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE201210U-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 2 A, DFE201210U tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.228ohm Bauform - Induktivität: 2mm x 1.2mm x 1mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 1.2A RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE201210U productTraceability: No Produktbreite: 1.2mm |
auf Bestellung 34290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE201210U-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 2 A, DFE201210U tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.228ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: -A Sättigungsstrom (Isat): 2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE201210U productTraceability: No Produktbreite: 1.2mm |
auf Bestellung 34290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.228Ohm DCR 0805 T/R |
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