DFE201210U-2R2M=P2 Murata
Hersteller: MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.228Ohm DCR 0805 T/R
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Technische Details DFE201210U-2R2M=P2 Murata
Description: MURATA - DFE201210U-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 2 A, DFE201210U Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 2.2µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.228ohm, Bauform - Induktivität: 2mm x 1.2mm x 1mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.2A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 2A, Produktlänge: 2mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE201210U Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 1.2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DFE201210U-2R2M=P2 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.37 EUR
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.228Ohm DCR 0805 T/R |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 2.2UH 1.2A 228MOHM SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 228mOhm Max Current - Saturation (Isat): 2A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.2 A |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 2.2 UH 20% |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 2.2UH 1.2A 228MOHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Package / Case: 0805 (2012 Metric) Size / Dimension: 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 228mOhm Max Current - Saturation (Isat): 2A Material - Core: Metal Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 0805 (2012 Metric) Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active Inductance: 2.2 µH Current Rating (Amps): 1.2 A |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE201210U-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 2 A, DFE201210U Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.228ohm Bauform - Induktivität: 2mm x 1.2mm x 1mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 1.2A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE201210U Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE201210U-2R2M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 2.2 µH, Geschirmt, 2 A, DFE201210U Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 2.2µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.228ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2A Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE201210U Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 1.2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.228Ohm DCR 0805 T/R |
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DFE201210U-2R2M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.228Ohm DCR 0805 T/R |
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