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DFE201610E-100M=P2

DFE201610E-100M=P2 Murata

dfe201610e-100m.pdf
Hersteller: Murata
Inductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.65A 0.78Ohm DCR 0806 T/R
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Technische Details DFE201610E-100M=P2 Murata

Description: MURATA - DFE201610E-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 750 mA, DFE201610E Series, 0806 [Metrisch 2016], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 10µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016], DC-Widerstand, max.: 0.78ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 0806 [Metrisch: 2016], isCanonical: Y, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 750mA, Produktlänge: 2mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: DFE201610E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 1.6mm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DFE201610E-100M=P2 DFE201610E-100M=P2 Murata dfe201610e-100m.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.65A 0.78Ohm DCR 0806 T/R
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DFE201610E-100M=P2 DFE201610E-100M=P2 Murata Electronics J_E_TE243A_0001.pdf Power Inductors - SMD 10 UH 20%
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DFE201610E-100M=P2 DFE201610E-100M=P2 MURATA 2339713.pdf Description: MURATA - DFE201610E-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 750 mA, DFE201610E Series, 0806 [Metrisch 2016]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016]
DC-Widerstand, max.: 0.78ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 0806 [Metrisch: 2016]
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 750mA
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE201610E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 1.6mm
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DFE201610E-100M=P2 DFE201610E-100M=P2 MURATA 2339713.pdf Description: MURATA - DFE201610E-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 750 mA, DFE201610E Series, 0806 [Metrisch 2016]
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Produkthöhe: 1mm
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rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016]
DC-Widerstand, max.: 0.78ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 750mA
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE201610E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 1.6mm
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DFE201610E-100M=P2
Hersteller: Murata
Inductor Power Shielded Wirewound 10uH 20% 1MHz Metal 0.65A 0.78Ohm DCR 0806 T/R
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE201610E-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 750 mA, DFE201610E Series, 0806 [Metrisch 2016]
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Bauart der Induktivität: Geschirmt
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RMS-Strom Irms: -
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Description: MURATA - DFE201610E-100M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, Geschirmt, 750 mA, DFE201610E Series, 0806 [Metrisch 2016]
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Produkthöhe: 1mm
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Induktivität: 10µH
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0806 [Metrisch 2016]
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Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
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