| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.87 EUR |
| 10+ | 0.77 EUR |
| 25+ | 0.62 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 250+ | 0.44 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details DFE252007F-4R7M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252007F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.2 A, DFE252007F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 0.7mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.45ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 0.7mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 940mA, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.2A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252007F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DFE252007F-4R7M=P2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DFE252007F-4R7M=P2 | MURATA |
 Description: MURATA - DFE252007F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.2 A, DFE252007F SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.7mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.45ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 0.7mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 940mA RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.2A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252007F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DFE252007F-4R7M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252007F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.2 A, DFE252007F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 0.7mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.45ohm isCanonical: N usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.2A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252007F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 90 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DFE252007F-4R7M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252007F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.2 A, DFE252007F Series
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Bauart der Induktivität: Geschirmt
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DC-Widerstand, max.: 0.45ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 0.7mm
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usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 940mA
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Produktlänge: 2.5mm
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Produktpalette: DFE252007F Series
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Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252007F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.2 A, DFE252007F Series
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Kernmaterial: Eisen
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Produktpalette: DFE252007F Series
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Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DFE252007F-4R7M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252007F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.2 A, DFE252007F Series
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Produktpalette: DFE252007F Series
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252007F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.2 A, DFE252007F Series
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Produktpalette: DFE252007F Series
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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