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DFE252010P-4R7M=P2

DFE252010P-4R7M=P2 Murata

dfe252010p4r7m.pdf Hersteller: Murata
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard
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Technische Details DFE252010P-4R7M=P2 Murata

Description: MURATA - DFE252010P-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010P Series, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.27ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520], isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Sättigungsstrom (Isat): 1.3A, RMS-Strom Irms: -, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252010P Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 Hersteller : Murata dfe252010p4r7m.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard
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DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 Hersteller : Murata Electronics m_dfe252010p.ashx Description: FIXED IND 4.7UH 1.1A 270 MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 270mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.1 A
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DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 Hersteller : Murata Electronics m_dfe252010p.ashx Description: FIXED IND 4.7UH 1.1A 270 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 270mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.1 A
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DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 Hersteller : Murata dfe252010p-4r7m.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal Alloy 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard
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DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 Hersteller : Murata Electronics J_E_TE243A_0032-2303193.pdf Power Inductors - SMD 4.7 UH 20%
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DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 Hersteller : MURATA 2550126.pdf Description: MURATA - DFE252010P-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010P Series, 1008 [Metrisch 2520]
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520]
DC-Widerstand, max.: 0.27ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520]
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sättigungsstrom (Isat): 1.3A
RMS-Strom Irms: -
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252010P Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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DFE252010P-4R7M=P2 Hersteller : Murata Electronics dfe252010p-4r7m.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 T/R
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DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 Hersteller : Murata dfe252010p-4r7m.pdf Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal Alloy 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard
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