DFE252010P-4R7M=P2 Murata Electronics
Hersteller: Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 4.7UH 1.1A 0.27OHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 270mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.1 A
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details DFE252010P-4R7M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252010P-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010P Series, 1008 [Metrisch 2520], tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520], DC-Widerstand, max.: 0.27ohm, Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520], usEccn: EAR99, Sättigungsstrom (Isat): 1.3A, RMS-Strom Irms: -, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252010P Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DFE252010P-4R7M=P2 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.49 EUR
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DFE252010P-4R7M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 4.7UH 1.1A 0.27OHM SMD Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 270mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.7A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.1 A |
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DFE252010P-4R7M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal Alloy 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard |
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DFE252010P-4R7M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 4.7 UH 20% |
auf Bestellung 1743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252010P-4R7M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252010P-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 1.3 A, DFE252010P Series, 1008 [Metrisch 2520] tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: 1008 [Metrisch 2520] DC-Widerstand, max.: 0.27ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 1008 [Metrisch 2520] usEccn: EAR99 Sättigungsstrom (Isat): 1.3A RMS-Strom Irms: - Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252010P Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| DFE252010P-4R7M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 T/R |
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DFE252010P-4R7M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal Alloy 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DFE252010P-4R7M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal Alloy 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard |
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DFE252010P-4R7M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.1A 0.27Ohm DCR 1008 Standard |
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