DFE252012F-1R0M=P2 Murata
Hersteller: MurataInductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DFE252012F-1R0M=P2 Murata
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.04ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.3A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 4.7A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DFE252012F-1R0M=P2 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 0.04OHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 40mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.7A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.3 A |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 0.04OHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 40mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.7A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.3 A |
auf Bestellung 12550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 1.0 UH 20% |
auf Bestellung 3968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.04ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 3.3A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 39108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.04ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 39108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.04ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.7A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
|
|
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
DFE252012F-1R0M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |