DFE252012F-1R0M=P2 Murata
Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| 15000+ | 0.18 EUR |
| 21000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details DFE252012F-1R0M=P2 Murata
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 1µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.04ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.3A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 4.7A, Produktlänge: 2.5mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 2mm.
Weitere Produktangebote DFE252012F-1R0M=P2 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DFE252012F-1R0M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-1R0M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 40mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.7A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.3 A |
auf Bestellung 337970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-1R0M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.04ohm isCanonical: N RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.7A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-1R0M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 10957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-1R0M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 10957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-1R0M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 1.0 UH 20% |
auf Bestellung 218306 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-1R0M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 40mOhm Max Current - Saturation (Isat): 4.7A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Inductance: 1 µH Current Rating (Amps): 3.3 A |
auf Bestellung 337970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-1R0M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.04ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 3.3A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.7A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
auf Bestellung 27654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-1R0M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 1µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.04ohm isCanonical: N RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 4.7A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
auf Bestellung 27654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DFE252012F-1R0M=P2 | MURATA |
Category: Inductors Description: SMD; 1008; 1uH; Ioper: 3.3A; R: 40mΩ; ±20%; 2.7x2.2x1.2mm; Isat: 4.7A Case - inch: 1008 Case - mm: 2520 Inductance: 1µH Tolerance: ±20% Test frequency: 1MHz Saturation current: 4.7A Max resistance: 40mΩ Operating temperature: -40...125°C Max. operating current: 3.3A Conform to the norm: AEC-Q200 Height: 1.2mm Mounting: SMD Core material: iron powder Resistance: 40mΩ Operating current: 3.3A Body dimensions: 2.7x2.2x1.2mm |
auf Bestellung 288000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
| 15000+ | 0.17 EUR |
| 21000+ | 0.15 EUR |
| 30000+ | 0.14 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
auf Bestellung 337970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 15000+ | 0.2 EUR |
| 21000+ | 0.19 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.27 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
auf Bestellung 10957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 504+ | 0.36 EUR |
| 615+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.18 EUR |
| 9000+ | 0.17 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 1uH 20% 1MHz Metal 3.3A 0.04Ohm DCR 1008 T/R
auf Bestellung 10957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 415+ | 0.43 EUR |
| 504+ | 0.35 EUR |
| 615+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.21 EUR |
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.17 EUR |
| 9000+ | 0.14 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 1.0 UH 20%
Power Inductors - SMD 1.0 UH 20%
auf Bestellung 218306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.45 EUR |
| 10+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
Description: FIXED IND 1UH 3.3A 40 MOHM SMD
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 4.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Inductance: 1 µH
Current Rating (Amps): 3.3 A
auf Bestellung 337970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 0.46 EUR |
| 55+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 3.3A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 3.3A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
auf Bestellung 27654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 466+ | 0.54 EUR |
| 559+ | 0.42 EUR |
| 676+ | 0.32 EUR |
| 741+ | 0.29 EUR |
| 1500+ | 0.26 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252012F-1R0M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 1 µH, Geschirmt, 4.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.04ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 4.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
auf Bestellung 27654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 466+ | 0.54 EUR |
| 559+ | 0.42 EUR |
| 676+ | 0.32 EUR |
| 741+ | 0.29 EUR |
| 1500+ | 0.26 EUR |
| DFE252012F-1R0M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Category: Inductors
Description: SMD; 1008; 1uH; Ioper: 3.3A; R: 40mΩ; ±20%; 2.7x2.2x1.2mm; Isat: 4.7A
Case - inch: 1008
Case - mm: 2520
Inductance: 1µH
Tolerance: ±20%
Test frequency: 1MHz
Saturation current: 4.7A
Max resistance: 40mΩ
Operating temperature: -40...125°C
Max. operating current: 3.3A
Conform to the norm: AEC-Q200
Height: 1.2mm
Mounting: SMD
Core material: iron powder
Resistance: 40mΩ
Operating current: 3.3A
Body dimensions: 2.7x2.2x1.2mm
Category: Inductors
Description: SMD; 1008; 1uH; Ioper: 3.3A; R: 40mΩ; ±20%; 2.7x2.2x1.2mm; Isat: 4.7A
Case - inch: 1008
Case - mm: 2520
Inductance: 1µH
Tolerance: ±20%
Test frequency: 1MHz
Saturation current: 4.7A
Max resistance: 40mΩ
Operating temperature: -40...125°C
Max. operating current: 3.3A
Conform to the norm: AEC-Q200
Height: 1.2mm
Mounting: SMD
Core material: iron powder
Resistance: 40mΩ
Operating current: 3.3A
Body dimensions: 2.7x2.2x1.2mm
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)