DFE252012F-3R3M=P2 Murata Electronics
Hersteller: Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 1.8A 0.135OHM SM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 135mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.5A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 1.8 A
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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Technische Details DFE252012F-3R3M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012F-3R3M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, Geschirmt, 2.5 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 3.3µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.135ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.8A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 2.5A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote DFE252012F-3R3M=P2 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.47 EUR
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DFE252012F-3R3M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Description: FIXED IND 3.3UH 1.8A 0.135OHM SM Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 135mOhm Max Current - Saturation (Isat): 2.5A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 3.3 µH Current Rating (Amps): 1.8 A |
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DFE252012F-3R3M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 3.3 UH 20% |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 133-137 Tag (e) |
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DFE252012F-3R3M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-3R3M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, Geschirmt, 2.5 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.135ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 1.8A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2.5A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-3R3M=P2 | Hersteller : MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-3R3M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, Geschirmt, 2.5 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.135ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2.5A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-3R3M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DFE252012F-3R3M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R |
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DFE252012F-3R3M=P2 | Hersteller : Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R |
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| DFE252012F-3R3M=P2 | Hersteller : Murata Electronics |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 3.3uH 20% 1MHz Metal 1.8A 0.135Ohm DCR 1008 T/R |
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