DFE252012F-4R7M=P2 Murata Electronics
Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 15000+ | 0.2 EUR |
| 21000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details DFE252012F-4R7M=P2 Murata Electronics
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 4.7µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.19ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.5A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 2.1A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: No, Produktbreite: 2mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DFE252012F-4R7M=P2 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DFE252012F-4R7M=P2 | Murata Electronics |
Power Inductors - SMD 4.7 UH 20% |
auf Bestellung 29051 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-4R7M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 190mOhm Max Current - Saturation (Isat): 2.1A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 4.7 µH Current Rating (Amps): 1.5 A |
auf Bestellung 48154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-4R7M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.19ohm isCanonical: N usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-4R7M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm rohsCompliant: YES Induktivität: 4.7µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.19ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 1.5A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 2.1A Produktlänge: 2.5mm euEccn: NLR Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: No Produktbreite: 2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-4R7M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DFE252012F-4R7M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Power Inductors - SMD 4.7 UH 20%
Power Inductors - SMD 4.7 UH 20%
auf Bestellung 29051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.45 EUR |
| 10+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| DFE252012F-4R7M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
Description: FIXED IND 4.7UH 1.5A 190 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 190mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 2.1A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 4.7 µH
Current Rating (Amps): 1.5 A
auf Bestellung 48154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 0.46 EUR |
| 55+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| DFE252012F-4R7M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 437+ | 0.57 EUR |
| 524+ | 0.44 EUR |
| 637+ | 0.33 EUR |
| 695+ | 0.31 EUR |
| 1500+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| DFE252012F-4R7M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.5A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: MURATA - DFE252012F-4R7M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 4.7 µH, Geschirmt, 2.1 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 4.7µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.19ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.5A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 2.1A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: No
Produktbreite: 2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 437+ | 0.57 EUR |
| 524+ | 0.44 EUR |
| 637+ | 0.33 EUR |
| 695+ | 0.31 EUR |
| 1500+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |
| DFE252012F-4R7M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 4.7uH 20% 1MHz Metal 1.5A 0.19Ohm DCR 1008 T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)