DFE252012F-6R8M=P2 Murata
Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R
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Technische Details DFE252012F-6R8M=P2 Murata
Description: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Induktivität: 6.8µH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.33ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, isCanonical: Y, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 1.2A, RMS-Strom Irms: -, Sättigungsstrom (Isat): 1.7A, Produktlänge: 2.5mm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: DFE252012F Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Produktbreite: 2mm.
Weitere Produktangebote DFE252012F-6R8M=P2 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DFE252012F-6R8M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R |
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DFE252012F-6R8M=P2 | Murata Electronics |
Description: FIXED IND 6.8UH 1.2A 330 MOHM Tolerance: ±20% Features: Flat Wire Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1008 (2520 Metric) Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount Shielding: Shielded Type: Drum Core, Wirewound Operating Temperature: -40°C ~ 125°C DC Resistance (DCR): 330mOhm Max Current - Saturation (Isat): 1.7A Material - Core: Iron Powder Inductance Frequency - Test: 1 MHz Supplier Device Package: 2520 Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Part Status: Active Inductance: 6.8 µH Current Rating (Amps): 1.2 A |
auf Bestellung 2097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DFE252012F-6R8M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 6.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.33ohm Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm Eigenresonanzfrequenz: - isCanonical: Y Kernmaterial: Eisen DC-Nennstrom: 1.2A RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.7A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
auf Bestellung 1693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-6R8M=P2 | MURATA |
Description: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series tariffCode: 85045000 Produkthöhe: 1.2mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 6.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.33ohm isCanonical: N RMS-Strom Irms: - Sättigungsstrom (Isat): 1.7A Produktlänge: 2.5mm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: DFE252012F Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Produktbreite: 2mm |
auf Bestellung 1693 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DFE252012F-6R8M=P2 | Murata |
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R |
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| DFE252012F-6R8M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R
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| DFE252012F-6R8M=P2 |
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Hersteller: Murata Electronics
Description: FIXED IND 6.8UH 1.2A 330 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 330mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 1.2 A
Description: FIXED IND 6.8UH 1.2A 330 MOHM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 330mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 1.7A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 6.8 µH
Current Rating (Amps): 1.2 A
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| 42+ | 0.5 EUR |
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| 100+ | 0.33 EUR |
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| DFE252012F-6R8M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.33ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.2A
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.33ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
isCanonical: Y
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 1.2A
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Sättigungsstrom (Isat): 1.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
auf Bestellung 1693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 461+ | 0.55 EUR |
| 553+ | 0.42 EUR |
| 672+ | 0.32 EUR |
| 736+ | 0.29 EUR |
| 1500+ | 0.26 EUR |
| DFE252012F-6R8M=P2 |
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Hersteller: MURATA
Description: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.33ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: -
Sättigungsstrom (Isat): 1.7A
Produktlänge: 2.5mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
Description: MURATA - DFE252012F-6R8M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, Geschirmt, 1.7 A, DFE252012F Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
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Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: DFE252012F Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktbreite: 2mm
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| DFE252012F-6R8M=P2 |
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Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 6.8uH 20% 1MHz Metal 1.2A 0.33Ohm DCR 1008 T/R
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