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DFE252012F-R68M=P2

DFE252012F-R68M=P2 Murata

dfe252012f-r68m.pdf Hersteller: Murata
Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.68uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.9A 0.031Ohm DCR 1008 T/R
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Technische Details DFE252012F-R68M=P2 Murata

Description: MURATA - DFE252012F-R68M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, Geschirmt, 5.4 A, DFE252012F, tariffCode: 85045000, Produkthöhe: 1.2mm, rohsCompliant: YES, Induktivität: 680nH, Bauart der Induktivität: Geschirmt, Induktivitätstoleranz: ± 20%, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Bauform/Gehäuse der Induktivität: -, DC-Widerstand, max.: 0.031ohm, Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm, Eigenresonanzfrequenz: -, usEccn: EAR99, Kernmaterial: Eisen, DC-Nennstrom: 3.9A, RMS-Strom Irms: -A, Sättigungsstrom (Isat): 5.4A, Produktlänge: 2.5mm, euEccn: NLR, Produktpalette: DFE252012F, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Produktbreite: 2mm.

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DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : Murata dfe252012f-r68m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.68uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.9A 0.031Ohm DCR 1008 T/R
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DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : Murata Electronics m_dfe252012f.ashx Description: FIXED IND 680NH 3.9A 0.031OHM SM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 31mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
Supplier Device Package: 2520
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 680 nH
Current Rating (Amps): 3.9 A
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DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : Murata Electronics m_dfe252012f.ashx Description: FIXED IND 680NH 3.9A 0.031OHM SM
Tolerance: ±20%
Features: Flat Wire
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1008 (2520 Metric)
Size / Dimension: 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 31mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.4A
Material - Core: Iron Powder
Inductance Frequency - Test: 1 MHz
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Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
Inductance: 680 nH
Current Rating (Amps): 3.9 A
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45+ 0.58 EUR
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250+ 0.45 EUR
500+ 0.41 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 34
DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : Murata Electronics J_E_TE243A_0017-3158849.pdf Power Inductors - SMD .68 UH 20%
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Mindestbestellmenge: 66
DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : MURATA 2616786.pdf Description: MURATA - DFE252012F-R68M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, Geschirmt, 5.4 A, DFE252012F
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.031ohm
Bauform - Induktivität: 2.5mm x 2mm x 1.2mm
Eigenresonanzfrequenz: -
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Eisen
DC-Nennstrom: 3.9A
RMS-Strom Irms: -A
Sättigungsstrom (Isat): 5.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2mm
auf Bestellung 2600 Stücke:
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DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : MURATA 2616786.pdf Description: MURATA - DFE252012F-R68M=P2 - Leistungsinduktivität (SMD), 680 nH, Geschirmt, 5.4 A, DFE252012F
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 680nH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.031ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: -A
Sättigungsstrom (Isat): 5.4A
Produktlänge: 2.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: DFE252012F
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 2mm
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DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : Murata dfe252012f-r68m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.68uH 20% 1MHz Metal Alloy 3.9A 0.031Ohm DCR 1008 T/R
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DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : Murata Electronics dfe252012f-r68m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.68uH 20% 1MHz Metal 3.9A 0.031Ohm DCR 1008 T/R
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DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R68M=P2 Hersteller : Murata Electronics dfe252012f-r68m.pdf Inductor Power Chip Shielded Wirewound 0.68uH 20% 1MHz Metal 3.9A 0.031Ohm DCR 1008 T/R
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