DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 208ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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34+ | 2.13 EUR |
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Technische Details DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 24A, Power dissipation: 235W, Case: TO220, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Mounting: THT, Gate charge: 0.1µC, Kind of package: tube, Turn-on time: 23ns, Turn-off time: 208ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DG15X06T1 nach Preis ab 1.34 EUR bis 2.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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DG15X06T1 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 24A; 235W; TO220 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 24A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Turn-on time: 23ns Turn-off time: 208ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DG15X06T1 | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG15X06T1 - IGBT, 27 A, 1.45 V, 235 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45 Verlustleistung Pd: 235 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: DOSEMI DC-Kollektorstrom: 27 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DG15X06T1 Produktcode: 194227 |
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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