DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 15+ | 5.08 EUR |
| 16+ | 4.56 EUR |
| 17+ | 4.2 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 573W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DG25X12T2 nach Preis ab 4.2 EUR bis 5.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DG25X12T2 | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247 Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Turn-on time: 36ns Gate charge: 0.19µC Turn-off time: 362ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 75A Power dissipation: 348W Collector-emitter voltage: 1.2kV |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
DG25X12T2 | Hersteller : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 573W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
|
DG25X12T2 Produktcode: 213154
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
Produkt ist nicht verfügbar
|