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DG25X12T2

DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

DG25X12T2.pdf Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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Technische Details DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 573W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote DG25X12T2 nach Preis ab 3.43 EUR bis 4.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DG25X12T2 DG25X12T2 Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
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DG25X12T2 DG25X12T2 Hersteller : STARPOWER 3550990.pdf Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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DG25X12T2
Produktcode: 213154
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