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DG25X12T2

Produktcode: 213154
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Turn-on time: 36ns
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER 3550990.pdf Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Collector current: 25A
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 362ns
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Turn-on time: 36ns
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AnzahlPreis
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DG25X12T2 3550990.pdf
DG25X12T2
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG25X12T2 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 573 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 573W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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