DG50Q12T2 STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 672W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 27.69 EUR |
| 13+ | 18.66 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
10 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DG50Q12T2 STARPOWER
Description: STARPOWER - DG50Q12T2 - IGBT, 100 A, 2 V, 672 W, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 672W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Dauerkollektorstrom: 100A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote DG50Q12T2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DG50Q12T2 | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 672W Case: TO247PLUS Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 338ns Turn-on time: 172ns |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DG50Q12T2 |
|
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 338ns
Turn-on time: 172ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 338ns
Turn-on time: 172ns
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)