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DG636EEN-T1-GE4

DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix

dg636e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
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Technische Details DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-UFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), On-State Resistance (Max): 96Ohm, -3db Bandwidth: 700MHz, Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6), Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V, Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V, Charge Injection: -0.33pC, Crosstalk: -62dB @ 1MHz, Switch Circuit: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1, Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm, Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns, Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF, Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA, Part Status: Active, Number of Circuits: 2.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DG636EEN-T1-GE4 DG636EEN-T1-GE4 Vishay / Siliconix dg636e.pdf Analogue Switch ICs Dual SPDT 0.3pC mQFN-6L
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DG636EEN-T1-GE4 DG636EEN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg636e.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 96OHM 16MINIQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 96Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 16V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 8V
Charge Injection: -0.33pC
Crosstalk: -62dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 46ns, 55ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 3.7pF, 4.4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
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