Produkte > DIODES INC. > DGD1503S8-13

DGD1503S8-13 DIODES INC.


DIOD-S-A0009027113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+1.08 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DGD1503S8-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Weitere Produktangebote DGD1503S8-13 nach Preis ab 0.98 EUR bis 2.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0009027113_1-2512823.pdf Gate Drivers HV Gate Driver
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.74 EUR
100+1.49 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DGD1503S8-13 DGD1503S8-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009027113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+2.34 EUR
147+1.58 EUR
168+1.27 EUR
187+1.14 EUR
250+1.11 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DGD1503S8-13 DIOD_S_A0009027113_1-2512823.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Gate Drivers HV Gate Driver
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.2 EUR
10+1.74 EUR
100+1.49 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.09 EUR
2500+0.99 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DGD1503S8-13 DIOD-S-A0009027113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD1503S8-13 - IGBT/MOSFET-Gate-Treiber, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 680ns/150ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+2.34 EUR
147+1.58 EUR
168+1.27 EUR
187+1.14 EUR
250+1.11 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH