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DGTD120T25S1PT

DGTD120T25S1PT Diodes Incorporated

DIOD_S_A0004887471_1-2542496.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
IGBT Transistors IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
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Technische Details DGTD120T25S1PT Diodes Incorporated

Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-247, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 73ns/269ns, Switching Energy: 1.44mJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 204 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Power - Max: 348 W.

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DGTD120T25S1PT DGTD120T25S1PT Hersteller : Diodes Incorporated DGTD120T25S1PT.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 73ns/269ns
Switching Energy: 1.44mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 204 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 348 W
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DGTD120T25S1PT DGTD120T25S1PT Hersteller : Diodes Inc 163dgtd120t25s1pt.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 348000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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DGTD120T25S1PT Hersteller : DIODES INCORPORATED DGTD120T25S1PT.pdf DGTD120T25S1PT THT IGBT transistors
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