DHG20I1200PA IXYS SEMICONDUCTOR
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DHG20I1200PA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 2.37 V, 75 ns, 135 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 135A
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.37V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DHG20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9 EUR |
| 50+ | 4.64 EUR |
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Technische Details DHG20I1200PA IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DHG20I1200PA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 2.37 V, 75 ns, 135 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 135A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.37V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DHG20, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DHG20I1200PA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DHG20I1200PA | IXYS |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DHG20I1200PA | IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 150A; TO220AC; 140W Type of diode: rectifying Case: TO220AC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.25V Max. forward impulse current: 150A Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Heatsink thickness: 1.14...1.39mm Power dissipation: 140W Features of semiconductor devices: fast switching Technology: Sonic FRD™ |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DHG20I1200PA |
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Hersteller: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| DHG20I1200PA |
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Hersteller: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 150A; TO220AC; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 140W
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: Sonic FRD™
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 150A; TO220AC; 140W
Type of diode: rectifying
Case: TO220AC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Power dissipation: 140W
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: Sonic FRD™
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)