DI005C04PTK-AQ DIOTEC
Hersteller: DIOTECDescription: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details DI005C04PTK-AQ DIOTEC
Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DI005C04PTK-AQ | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI005C04PTK-AQ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 4 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm Verlustleistung, p-Kanal: 11.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 11.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DI005C04PTK-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: DI005C04PTK-AQ Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 12.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V, 60mOhm @ 2A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-QFN (3x3) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DI005C04PTK-AQ | Hersteller : Diotec Semiconductor |
MOSFETs PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 40V, 5A, 3.5m?, 150C, AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DI005C04PTK-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 5/-4A; Idm: 20÷-16A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5/-4A Pulsed drain current: 20...-16A Power dissipation: 11.3W Case: QFN3X3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |