Produkte > DIOTEC SEMICONDUCTOR > DI010N03PW-AQ

DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor


di010n03pw.pdf
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V
auf Bestellung 3996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+0.61 EUR
50+0.43 EUR
56+0.38 EUR
100+0.32 EUR
250+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote DI010N03PW-AQ nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DI010N03PW-AQ DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor di010n03pw.pdf MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.54 EUR
100+0.38 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
4000+0.27 EUR
8000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI010N03PW-AQ DI010N03PW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR di010n03pw.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
245+0.95 EUR
385+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI010N03PW-AQ DI010N03PW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR di010n03pw.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1.59 EUR
245+0.95 EUR
385+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI010N03PW-AQ di010n03pw.pdf
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
auf Bestellung 4075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.06 EUR
10+0.54 EUR
100+0.38 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
4000+0.27 EUR
8000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI010N03PW-AQ di010n03pw.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+1.59 EUR
245+0.95 EUR
385+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI010N03PW-AQ di010n03pw.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
157+1.59 EUR
245+0.95 EUR
385+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH