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DI010N03PW-AQ

DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor

di010n03pw.pdf
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150C, N, AEC-Q101
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Technische Details DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor

Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DI010N03PW-AQ DI010N03PW-AQ Diotec Semiconductor di010n03pw.pdf Description: MOSFET POWERQFN 2X2 N 30V
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DI010N03PW-AQ DI010N03PW-AQ DIOTEC di010n03pw.pdf Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
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174+1.44 EUR
271+0.86 EUR
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547+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
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Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
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Description: DIOTEC - DI010N03PW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.012 ohm, QFN, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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