
DI017N06PQ-AQ DIOTEC

Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details DI017N06PQ-AQ DIOTEC
Description: DIOTEC - DI017N06PQ-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.033 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DI017N06PQ-AQ | Hersteller : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DI017N06PQ-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 50A; 21W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Pulsed drain current: 50A Drain current: 10A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 19nC On-state resistance: 39mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 21W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DI017N06PQ-AQ | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 50A; 21W; QFN5x6 Case: QFN5x6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Pulsed drain current: 50A Drain current: 10A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 19nC On-state resistance: 39mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 21W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement |
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