DI020P06PT Diotec Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.04 EUR |
| 100+ | 0.64 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 5000+ | 0.39 EUR |
| 10000+ | 0.35 EUR |
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Technische Details DI020P06PT Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DI020P06PT nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DI020P06PT | DIOTEC |
 Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DI020P06PT | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Power Dissipation (Max): 29.7W Supplier Device Package: PowerQFN 3x3 |
auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DI020P06PT | DIOTEC |
Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DI020P06PT |
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Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 1.55 EUR |
| 175+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 5000+ | 0.92 EUR |
| DI020P06PT |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
Description: MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Power Dissipation (Max): 29.7W
Supplier Device Package: PowerQFN 3x3
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.76 EUR |
| 20+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 2000+ | 0.44 EUR |
| DI020P06PT |
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Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIOTEC - DI020P06PT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.045 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 138+ | 1.82 EUR |
| 150+ | 1.55 EUR |
| 175+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 5000+ | 0.92 EUR |