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DI035N06PQ2-AQ DIOTEC

Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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Technische Details DI035N06PQ2-AQ DIOTEC

Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 35A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 35.7W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
DI035N06PQ2-AQ	Hersteller : DIOTEC	Description: DIOTEC - DI035N06PQ2-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99	auf Bestellung 4998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DI035N06PQ2-AQ	Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR	DI035N06PQ2-AQ-DIO Multi channel transistors	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DI035N06PQ2-AQ	Hersteller : Diotec Semiconductor	Description: MOSFET 2N-CH 60V 35A 8TDSON Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 35.7W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TDSON-8-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DI035N06PQ2-AQ	Hersteller : Diotec Semiconductor	Array	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH