Technische Details DI060N06PQ Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 170A; 70W; PQFN5X6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 60A, Case: PQFN5X6, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 70W, Gate charge: 27nC, On-state resistance: 7mΩ, Pulsed drain current: 170A.
Weitere Produktangebote DI060N06PQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DI060N06PQ | Diotec Semiconductor |
 MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 60V, 60A, 7m?, 150C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DI060N06PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 170A; 70W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 70W Gate charge: 27nC On-state resistance: 7mΩ Pulsed drain current: 170A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DI060N06PQ |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 60V, 60A, 7m?, 150C
MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 60V, 60A, 7m?, 150C
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| DI060N06PQ |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 170A; 70W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: 170A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 170A; 70W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 7mΩ
Pulsed drain current: 170A
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