Produkte > DIOTEC > DI065N08D1-AQ
DI065N08D1-AQ

DI065N08D1-AQ DIOTEC

di065n08d1.pdf
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DI065N08D1-AQ DIOTEC

Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Weitere Produktangebote DI065N08D1-AQ nach Preis ab 1.05 EUR bis 4.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DI065N08D1-AQ DI065N08D1-AQ Diotec Semiconductor di065n08d1.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQ DI065N08D1-AQ Diotec Semiconductor di065n08d1.pdf MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQ DI065N08D1-AQ DIOTEC di065n08d1.pdf Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
83+2.81 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQ di065n08d1.pdf
DI065N08D1-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 65A TO-252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1812 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQ di065n08d1.pdf
DI065N08D1-AQ
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs DPAK, N, 80V, 65A, 7m?, 175C, AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.77 EUR
10+2.4 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.09 EUR
5000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI065N08D1-AQ di065n08d1.pdf
DI065N08D1-AQ
Hersteller: DIOTEC
Description: DIOTEC - DI065N08D1-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 7000 µohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.75 EUR
83+2.81 EUR
122+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH