Technische Details DI080N10D1 Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 56.8W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 75nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DI080N10D1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DI080N10D1 | Diotec Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO-252-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DI080N10D1 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs DPAK, N, 100V, 80A, 4.2m?, 150C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DI080N10D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 56.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| DI080N10D1 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO-252-3
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO-252-3
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| DI080N10D1 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs DPAK, N, 100V, 80A, 4.2m?, 150C
MOSFETs DPAK, N, 100V, 80A, 4.2m?, 150C
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| DI080N10D1 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 400A; 56.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 56.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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