Technische Details DI170N03PQ Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 170A; Idm: 680A; 135W; PQFN5X6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 170A, Power dissipation: 135W, Case: PQFN5X6, On-state resistance: 1.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 680A.
Weitere Produktangebote DI170N03PQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DI170N03PQ | Diotec Semiconductor |
MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 30V, 170A, 1.2m?, 150C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DI170N03PQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 170A; Idm: 680A; 135W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 170A Power dissipation: 135W Case: PQFN5X6 On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 680A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DI170N03PQ |
![]() |
Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 30V, 170A, 1.2m?, 150C
MOSFETs PowerQFN 5x6, N, 30V, 170A, 1.2m?, 150C
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DI170N03PQ |
![]() |
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 170A; Idm: 680A; 135W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 170A
Power dissipation: 135W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 680A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 170A; Idm: 680A; 135W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 170A
Power dissipation: 135W
Case: PQFN5X6
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 680A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH


