DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR


di1a5n60d1.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
139+0.61 EUR
230+0.37 EUR
327+0.26 EUR
365+0.24 EUR
414+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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Technische Details DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI1A5N60D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.5 A, 8 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DI1A5N60D1 DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR di1a5n60d1.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI1A5N60D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.5 A, 8 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
262+0.88 EUR
381+0.56 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
5000+0.33 EUR
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DI1A5N60D1 di1a5n60d1.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI1A5N60D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.5 A, 8 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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