DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI1A5N60D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.5 A, 8 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.5 EUR |
| 262+ | 0.88 EUR |
| 381+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 5000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details DI1A5N60D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DI1A5N60D1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.5 A, 8 ohm, TO-252AA (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-252AA (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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DI1A5N60D1 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252AA On-state resistance: 8Ω Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 25W Gate charge: 7.9nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.97A |
auf Bestellung 721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DI1A5N60D1 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 8Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 7.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.97A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 8Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Gate charge: 7.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.97A
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)