Technische Details DIJ2A7N90 Diotec Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.7A; Idm: 6.5A; 65.7W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 2.7A, Pulsed drain current: 6.5A, Power dissipation: 65.7W, Case: ITO220AB, On-state resistance: 3.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 16.1nC, Kind of channel: enhancement.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DIJ2A7N90 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 2.7A, 3.4 , 150C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DIJ2A7N90 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.7A; Idm: 6.5A; 65.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 6.5A Power dissipation: 65.7W Case: ITO220AB On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 16.1nC Kind of channel: enhancement |
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| DIJ2A7N90 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 2.7A, 3.4 , 150C
MOSFETs MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 2.7A, 3.4 , 150C
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| DIJ2A7N90 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.7A; Idm: 6.5A; 65.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 6.5A
Power dissipation: 65.7W
Case: ITO220AB
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.1nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.7A; Idm: 6.5A; 65.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 6.5A
Power dissipation: 65.7W
Case: ITO220AB
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.1nC
Kind of channel: enhancement
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