
DIT090N06 Diotec Semiconductor
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Technische Details DIT090N06 Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - DIT090N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 65 V, 90 A, 0.007 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DIT090N06 nach Preis ab 0.59 EUR bis 35.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DIT090N06 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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DIT090N06 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
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DIT090N06 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
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DIT090N06 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 62A Pulsed drain current: 310A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DIT090N06 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 62A Pulsed drain current: 310A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm |
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DIT090N06 | Hersteller : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 65V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DIT090N06 Produktcode: 188342
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