DIT095N08 Diotec Semiconductor
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Technische Details DIT095N08 Diotec Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 67A; Idm: 320A; 170W; TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Case: TO220AB, Heatsink thickness: max. 1.2mm, Power dissipation: 170W, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 67A, On-state resistance: 6.6mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 109nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 320A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| DIT095N08 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 67A; Idm: 320A; 170W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Heatsink thickness: max. 1.2mm Power dissipation: 170W Drain-source voltage: 80V Drain current: 67A On-state resistance: 6.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 109nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DIT095N08 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 67A; Idm: 320A; 170W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Heatsink thickness: max. 1.2mm Power dissipation: 170W Drain-source voltage: 80V Drain current: 67A On-state resistance: 6.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 109nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 320A |
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