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DIT120N08 Transistor

Produktcode: 216962
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DIT120N08 DIT120N08 Diotec Semiconductor dit120n08.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.12 EUR
100+1.99 EUR
250+1.87 EUR
500+1.76 EUR
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DIT120N08 DIT120N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit120n08.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.21 EUR
44+1.95 EUR
55+1.57 EUR
100+1.43 EUR
250+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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DIT120N08 DIT120N08 Diotec Semiconductor dit120n08.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.64 EUR
57+3.01 EUR
100+2.36 EUR
250+1.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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DIT120N08 DIT120N08 Diotec Semiconductor dit120n08.pdf Description: MOSFET TO220AB N 80V 0.0049OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
50+2.3 EUR
100+2.06 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DIT120N08 DIT120N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR 4397198.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIT120N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.88 EUR
87+2.69 EUR
100+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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DIT120N08 DIT120N08 Diotec Semiconductor dit120n08.pdf MOSFETs MOSFET, TO-220AB, 80V, 120A, 175C, N
auf Bestellung 257 Stücke:
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10+4.65 EUR
100+2.78 EUR
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DIT120N08
Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Case: TO220AB
Gate charge: 163nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
On-state resistance: 4.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 220W
Pulsed drain current: 450A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
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Description: MOSFET TO220AB N 80V 0.0049OHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
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DIT120N08 4397198.pdf
DIT120N08
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - DIT120N08 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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FZT751 Bipolartransistor
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FZT651 bipolar Transistor
Produktcode: 52925
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fzt651-datasheet.pdf
FZT651 bipolar Transistor
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-223
Transitfrequenz fT: 175 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 60 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 3 A
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10+0.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Lötstation SM858D
Produktcode: 33616
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description
Lötstation SM858DLötstation SM858DLötstation SM858DLötstation SM858DLötstation SM858DLötstation SM858D
Lötstation SM858DLötstation SM858DLötstation SM858DLötstation SM858DLötstation SM858DLötstation SM858D
Hersteller: Sinometer
Lötgeräte, Lötmaterial > Löttechnik. Lötstationen
Kategorie: Heißluftgebläse
Beschreibung: Heißluftgebläse mit Regelung der Temperatur und Luft- des Stroms. Heißlufttemperatur von 100 °C bis 450 °C, Luftstrom 120 l/Min.. Temperaturanzeige auf dem Display, automatische Kühlung des Heißluftgebläses nach dem Ausschalten.
Spannung: 220 В
Leistung: 700 Вт
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30 St.
  • 30 St. - erwartet 11.11.2026
AnzahlPrivatkunde
1+88.13 EUR
10+63.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74HC245N
Produktcode: 30067
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description
Hersteller: NXP
IC > IC Logik
Gehäuse: DIP-20
Beschreibung: Nicht-invertierender bidirektionaler Bustreiber
Montage: THT (Durchsteckmontage)
Versorgung, V: 2...6 В
Temperatur, °C: -40...+125°C
Logikgatter-Typ: Transceiver
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet 25.07.2026
auf Bestellung: 43 St.
  • 43 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.64 EUR
10+1.49 EUR
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22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 17714
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EXR_080421.pdf
22uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet
auf Bestellung: 4440 St.
  • 4440 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.031 EUR
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