Technische Details DIW170SIC030 Diotec Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 123A; Idm: 260A; 333W, Pulsed drain current: 260A, Power dissipation: 333W, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 123A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.7kV, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: TO247-3, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: THT.
Weitere Produktangebote DIW170SIC030
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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DIW170SIC030 | Diotec Semiconductor |
 SiC MOSFETs TO-247-3L, N, 123A, 1700V, 30m, 175C |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DIW170SIC030 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 123A; Idm: 260A; 333W Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 123A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DIW170SIC030 |
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Hersteller: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs TO-247-3L, N, 123A, 1700V, 30m, 175C
SiC MOSFETs TO-247-3L, N, 123A, 1700V, 30m, 175C
Produkt ist nicht verfügbar
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| DIW170SIC030 |
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 123A; Idm: 260A; 333W
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 123A; Idm: 260A; 333W
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
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