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DLA11C-TR-E

DLA11C-TR-E onsemi

DLA11C.pdf
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.1A
Supplier Device Package: SMD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details DLA11C-TR-E onsemi

Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A SMD, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1.1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: SMD, Current - Average Rectified (Io): 1.1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 2-SMD, J-Lead, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DLA11C-TR-E ONSEMI dla11c.pdf Description: ONSEMI - DLA11C-TR-E - DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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DLA11C-TR-E dla11c.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DLA11C-TR-E - DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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