Technische Details DMC1229UFDB-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMC1229UFDB-7 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMC1229UFDB-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC1229UFDB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC1229UFDB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC1229UFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC1229UFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC1229UFDB-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss |
auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMC1229UFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 12V 5.6A/3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.25 EUR |
| DMC1229UFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.31 EUR |
| DMC1229UFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A, 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.34 EUR |
| 26+ | 0.83 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| DMC1229UFDB-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 153+ | 1.63 EUR |
| 249+ | 0.94 EUR |
| 384+ | 0.56 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| DMC1229UFDB-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC1229UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 12 V, 12 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 153+ | 1.63 EUR |
| 249+ | 0.94 EUR |
| 384+ | 0.56 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| DMC1229UFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
MOSFETs Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.73 EUR |
| 10+ | 1.07 EUR |
| 100+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 3000+ | 0.4 EUR |