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DMC2004LPK-7

DMC2004LPK-7 Diodes Zetex

ds30854.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
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Technische Details DMC2004LPK-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X1-DFN1612, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote DMC2004LPK-7 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated ds30854.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1612-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
21000+0.24 EUR
30000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated ds30854.pdf MOSFETs Complementary
auf Bestellung 5214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated ds30854.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1612-6
Part Status: Active
auf Bestellung 121093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 DIODES INC. ds30854.pdf Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+1.33 EUR
290+0.8 EUR
424+0.5 EUR
556+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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DMC2004LPK-7 DMC2004LPK-7 DIODES INC. ds30854.pdf Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DMC2004LPK-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1612-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Complementary
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AnzahlPrivatkunde
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Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1612-6
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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DMC2004LPK-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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290+0.8 EUR
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556+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
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Description: DIODES INC. - DMC2004LPK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.55 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1612
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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