Weitere Produktangebote DMC2038LVT-7 nach Preis ab 0.085 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R |
auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7 TDMC2038lvt Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K |
auf Bestellung 136564 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 11970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2038LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 18218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2038LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 18218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2038LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMC2038LVT-7 |
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auf Bestellung 6380 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
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DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMC2038LVT-7 | Hersteller : Diodes INC. |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3,7, Ciss, пФ @ Uds, В = 530pF @ 10V, Qg, нКл = 17, Rds = 35 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |