DMC2053UFDBQ-7 Diodes Zetex
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Technische Details DMC2053UFDBQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC2053UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMC2053UFDBQ-7 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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DMC2053UFDBQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMC2053UFDBQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2053UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DMC2053UFDBQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2053UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| DMC2053UFDBQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K |
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