DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A TSOT26
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 15000+ | 0.19 EUR |
| 21000+ | 0.18 EUR |
| 30000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMC2057UVT-7 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMC2057UVT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 8244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC2057UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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DMC2057UVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMC2057UVT-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 8244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.95 EUR |
| 10+ | 0.58 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 3000+ | 0.15 EUR |
| DMC2057UVT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMC2057UVT-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC2057UVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)