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DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated

DIOD_S_A0003551431_1-2542485.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 3555 Stücke:
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Technische Details DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.99 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.99ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC21D1UDA-7B DMC21D1UDA-7B DIODES INC. DMC21D1UDA.pdf Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.98 EUR
321+0.73 EUR
690+0.31 EUR
800+0.26 EUR
1241+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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DMC21D1UDA-7B DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated DMC21D1UDA.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), 328mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
auf Bestellung 1935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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DMC21D1UDA-7B DMC21D1UDA-7B DIODES INC. DIOD-S-A0003551431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.99 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.99ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
211+1.19 EUR
343+0.68 EUR
532+0.4 EUR
764+0.29 EUR
1007+0.21 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
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DMC21D1UDA-7B DMC21D1UDA.pdf
DMC21D1UDA-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
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Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
257+0.98 EUR
321+0.73 EUR
690+0.31 EUR
800+0.26 EUR
1241+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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DMC21D1UDA-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), 328mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC21D1UDA-7B DIOD-S-A0003551431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC21D1UDA-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.99 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
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Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.99ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
211+1.19 EUR
343+0.68 EUR
532+0.4 EUR
764+0.29 EUR
1007+0.21 EUR
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