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Technische Details DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMC21D1UDA-7B nach Preis ab 0.22 EUR bis 0.88 EUR
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DMC21D1UDA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), 328mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 Part Status: Active |
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DMC21D1UDA-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMC21D1UDA-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC21D1UDA-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 455 mA, 455 mA, 0.5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 455mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 455mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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DMC21D1UDA-7B | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.455A/0.328A 6-Pin X2-DFN T/R |
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DMC21D1UDA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.455A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 455mA (Ta), 328mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 Part Status: Active |
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