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DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated

DMC3025LSD.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
7500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMC3025LSD-13 nach Preis ab 0.38 EUR bis 6.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 DIODES/ZETEX info-tdmc3025lsd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3025LSD DMC3025LSD TDMC3025LSD
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated DMC3025LSD.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 Diodes Incorporated DMC3025LSD.pdf MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000449406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
240+0.96 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000449406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
240+0.96 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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DMC3025LSD-13 DMC3025LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3025LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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DMC3025LSD-13 Diodes DMC3025LSD.pdf MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMC3025LSD-13
Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3025LSD DMC3025LSD TDMC3025LSD
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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DMC3025LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
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1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DMC3025LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.44 EUR
10+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMC3025LSD-13 DIOD-S-A0000449406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3025LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
240+0.96 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
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DMC3025LSD-13 DIOD-S-A0000449406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3025LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.52 EUR
240+0.96 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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DMC3025LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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DMC3025LSD-13 DMC3025LSD.pdf
Hersteller: Diodes
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+1.08 EUR
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