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Technische Details DMC3028LSDX-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDX-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMC3028LSDX-13 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8-Pin SO T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A |
auf Bestellung 4284 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 52295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDX-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3028LSDX-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.019 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMC3028LSDX-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMC3028LSDX-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMC3028LSDX-13 Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |