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DMC3032LSD-13

DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated

ds32153.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3032LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.1A
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.88 EUR
134+0.63 EUR
232+0.37 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated ds32153.pdf MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.81 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 Diodes Incorporated ds32153.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.59 EUR
256+0.9 EUR
375+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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DMC3032LSD-13 DMC3032LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.77 EUR
232+1 EUR
355+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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DMC3032LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.1A
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+0.88 EUR
134+0.63 EUR
232+0.37 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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DMC3032LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V VDSS 20V VGSS 2.5W PD COMP MOSFET
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.33 EUR
10+0.81 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMC3032LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.34 EUR
26+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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DMC3032LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.59 EUR
256+0.9 EUR
375+0.57 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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DMC3032LSD-13 DIOD-S-A0006644035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3032LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3032LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.77 EUR
232+1 EUR
355+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
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