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DMC3071LVT-7

DMC3071LVT-7 Diodes Zetex

dmc3071lvt.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Technische Details DMC3071LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC3071LVT-7 DMC3071LVT-7 Diodes Zetex dmc3071lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMC3071LVT-7 DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated DMC3071LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
auf Bestellung 9000 Stücke:
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DMC3071LVT-7 DMC3071LVT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005044927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 700 Stücke:
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290+0.87 EUR
424+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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DMC3071LVT-7 DMC3071LVT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005044927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMC3071LVT-7 DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated DMC3071LVT.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
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4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
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DMC3071LVT-7 DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated DMC3071LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
auf Bestellung 9615 Stücke:
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22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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DMC3071LVT-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.6A/3.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMC3071LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
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DMC3071LVT-7 DIOD-S-A0005044927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3071LVT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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424+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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DMC3071LVT-7 DIOD-S-A0005044927-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3071LVT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3071LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
290+0.87 EUR
424+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 290 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMC3071LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 287593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.95 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMC3071LVT-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V, 254pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V, 95mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
auf Bestellung 9615 Stücke:
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22+0.96 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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