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DMC31D5UDJ-7B


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Produktcode: 182453
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Diodes Zetex dmc31d5udj.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
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DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDJ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
auf Bestellung 470000 Stücke:
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DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDJ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 490303 Stücke:
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33+0.64 EUR
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1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
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DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated DIODS21555_1-2541770.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 16582 Stücke:
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10+0.74 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.27 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B DIODES INC. DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6260 Stücke:
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131+1.92 EUR
182+1.27 EUR
292+0.74 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.43 EUR
5000+0.32 EUR
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DMC31D5UDJ-7B DMC31D5UDJ-7B DIODES INC. DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Power - Max: 350mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
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FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
auf Bestellung 490303 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
28+0.77 EUR
33+0.64 EUR
100+0.45 EUR
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1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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DMC31D5UDJ-7B DIODS21555_1-2541770.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 16582 Stücke:
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DMC31D5UDJ-7B DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.92 EUR
182+1.27 EUR
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DMC31D5UDJ-7B DIODS21555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.92 EUR
182+1.27 EUR
292+0.74 EUR
500+0.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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