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DMC3400SDW-13

DMC3400SDW-13 Diodes Zetex

dmc3400sdw.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 480000 Stücke:
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Technische Details DMC3400SDW-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 650mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote DMC3400SDW-13 nach Preis ab 0.092 EUR bis 0.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC3400SDW-13 DMC3400SDW-13 Diodes Incorporated DMC3400SDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
auf Bestellung 90000 Stücke:
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20000+0.095 EUR
30000+0.092 EUR
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DMC3400SDW-13 DMC3400SDW-13 Diodes Incorporated DMC3400SDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 102383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
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DMC3400SDW-13 DMC3400SDW-13 Diodes Incorporated DMC3400SDW.pdf MOSFETs 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
auf Bestellung 11569 Stücke:
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5+0.69 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMC3400SDW-13 DMC3400SDW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000495730-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.77 EUR
532+0.44 EUR
841+0.25 EUR
1306+0.17 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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DMC3400SDW-13 DMC3400SDW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0000495730-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 650mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
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Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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532+0.44 EUR
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DMC3400SDW-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
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AnzahlPrivatkunde
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20000+0.095 EUR
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DMC3400SDW-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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MOSFETs 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
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10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
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1000+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
10000+0.11 EUR
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DMC3400SDW-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
323+0.77 EUR
532+0.44 EUR
841+0.25 EUR
1306+0.17 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 323 Stücke
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DMC3400SDW-13 DIOD-S-A0000495730-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
DMC3400SDW-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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