DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.49 EUR |
| 7500+ | 0.48 EUR |
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Technische Details DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMC4050SSDQ-13 nach Preis ab 0.5 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
auf Bestellung 9357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A Automotive 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMC4050SSDQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 37.56/33.66nC On-state resistance: 45/45mΩ Power dissipation: 2.14W Drain current: 5.8/-5.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40/-40V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 |
Produkt ist nicht verfügbar |