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DMC4050SSDQ-13

DMC4050SSDQ-13 Diodes Zetex

dmc4050ssdq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details DMC4050SSDQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMC4050SSDQ-13 nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMC4050SSDQ-13 DMC4050SSDQ-13 Diodes Zetex dmc4050ssdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
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DMC4050SSDQ-13 DMC4050SSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013066258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.01 EUR
152+1.54 EUR
205+1.05 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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DMC4050SSDQ-13 DMC4050SSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013066258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMC4050SSDQ-13 DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4050SSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 5248 Stücke:
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2+2.67 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
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DMC4050SSDQ-13 DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4050SSDQ_Web.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 170 Stücke:
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8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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DMC4050SSDQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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DMC4050SSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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152+1.54 EUR
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500+0.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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DMC4050SSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.01 EUR
152+1.54 EUR
205+1.05 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.8 EUR
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MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 5248 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.67 EUR
10+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH